category.分立半导体_category.分立半导体品牌厂家，型号_价格_规格

类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料																			Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																																												包装	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	子类别	最大功率耗散
IXTY02N120P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-252-3	33 W	N-Channel	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C	SMD/SMT	75 Ohms	200 mA							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	1200	±20	0.2	75000@10V	4.7@10V	4.7	104@25V	33000	39	10		21	6	-55	150	表面贴装	2.4(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	DPAK	-	200mA	1.2 kV			活跃								Si					3					Single	1 Channel			33W											N
PMWD16UN,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22	56	14	-55		150	表面贴装	0.95(Max)	4.5(Max)	3.1(Max)	8	TSSOP								供应商未确认	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	20	±10	9.9	[email protected]	[email protected]	1366@16V	3100	33	卷带		Obsolete													8					双双源																	N
BUK9MRR-65PKK	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	712@25V	3200	48	22	57	18		-55	150	表面贴装	2.45(Max)	7.6(Max)	13(Max)	20	SO								供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	65	15	4.8	60.7@10V	8.8@5V			Obsolete													20					Dual																	N
SI9410DY,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6	21	5	-55		150	表面贴装	1.45(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SO								EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	7	30@10V	14.6@10V	14.6	2500	11	卷带		Unconfirmed													8					单四漏双源																	N
IXTX90P20P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-247-3	16.13(Max)	3	Tab	PLUS 247	-	-	90A	200 V	4 V	890 W	P-Channel	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C	通孔	205 nC	44 mOhms	90 A							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	90	44@10V	205@10V	205	12000@25V	890000		28	60	89	32	-55	150	通孔	21.34(Max)	5.21(Max)			活跃								Si					3					Single	1 Channel			890W										P
PIP3118-B,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	表面贴装		4.5(Max)	9.4(Max)	10.3(Max)	2	Tab	D2PAK								供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	50	20	52	90000	50000	50000	60000	25000	-55	卷带		Obsolete													3					Single																	N
GRP-DATA-JANSR2N7261	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	100	±20	8	185@12V	50(Max)@12V	1100@25V	25000	40(Max)	32(Max)	40(Max)		25(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1			活跃													3					Single																	N						9.22(Max)
JANSR2N7485U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	无	功率MOSFET	Enhancement	1	130	±20	20	80@12V	48(Max)@12V	970@25V	75000	40(Max)	100(Max)	35(Max)		20(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无			活跃													3					Single																	N
MCB60I1200TZ-TUB	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-268AA-3	SiC	34@20V	16.05(Max)	2	Tab	D3PAK-HV	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 40 C	SMD/SMT	34 mOhms						Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	1200	20	90	160@20V	2790@1000V	-40	150	表面贴装	5.1(Max)	14(Max)	Tube		活跃		Half Bridge Module				Discrete Semiconductor Modules		SiC					3					Single									Discrete Semiconductor Modules								N					功率MOSFET模块
IXFK300N20X3	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	375@10V	375	23800@25V	1250000	13	43	184	44		-55	150	通孔	26.3(Max)	5.3(Max)	20.3(Max)	3	Tab	TO-264								Enhancement	功率MOSFET	8541.29.00.95	EAR99	符合免除	1	200	±20	300	4@10V			活跃													3					Single																	N
IRHNA67260	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-55 °C	未说明	150 °C	无	IRHNA67260	200 ns	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	150 ns	5.19	56 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	56	28@12V	240(Max)@12V	8120@25V	250000	30(Max)	60(Max)	70(Max)		40(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	SMD-2, 3 PIN		e0	活跃	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)			FET 通用电源			BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3	RH - 100K Rad(Si)	R-CBCC-N3	不合格		Single			增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING	N-CHANNEL		56 A	0.028 Ω	224 A	200 V	N	268 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
MMIX1F180N25T	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	250	±20	5	132	200	50	13@10V	364@10V	364	23800@25V		570000	20	52	88	35	-55	150	表面贴装	5.55(Max)	23.25(Max)	25.25(Max)	21	SMD	SMPD-X										活跃													21					单一三源																	N
GRP-DATA-JANSR2N7484T3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	70@12V	1005@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	TO-257AA	Tab	3	10.66(Max)								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	18	50(Max)@12V			活跃													3					Single																	N
MDD3N50GRH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	2500@10V	Gull-wing	未说明	有	MDD3N50GRH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.73								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±30	5	2.8	100	1	6.75@10V	6.75	285@25V	45000	20	22	33	19	-55	150	表面贴装	2.39(Max)	6.1	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	卷带		活跃											未说明	unknown	3					Single															N
IXFH120N20P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22@10V		符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	200	±20	120	152@10V	152	6000@25V	714000	31	35	100	30	-55	175	通孔	21.45(Max)	5.3(Max)	16.24(Max)	3	Tab	TO-247	TO-247AD	通孔									活跃													3					Single																	N
IRHNA57264SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60@12V	165(Max)@12V	5045@25V	250000	65(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	250	±20	45			活跃													3					Single																	N
IXTP96P085T	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	TrenchP	Enhancement	1	85	±15	96	13@10V	180@10V	180	13100@25V		298000	22	34	45	23	-55	150	通孔	9.15(Max)	4.83(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-220AB										活跃													3					Single																	P
IXTH260N055T2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-247-3	-55	175	通孔	21.46(Max)	5.3(Max)	16.26(Max)	3	Tab	TO-247	260(A)	55(V)	Military	TO-247	-55C to 175C	±20(V)	1	无	55 V	2 V	480 W	N-Channel	+ 175 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C	通孔	140 nC	3.3 mOhms	260 A							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	55	±20	260	3.3@10V	140@10V	140	10800@25V	480000		24	27	36	20			活跃		功率MOSFET						Si					3				N	Single	1 Channel			480(W)										N
IXFN48N60P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	140@10V	625000	22	25	85	30	-55	150	Screw	9.6(Max)	25.42(Max)	38.23(Max)	4	SOT	SOT-227B	Screw	符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement								1	600	±30	40	150@10V	150	8860@25V			活跃													4					单双源																	N
MDV3604URH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8	DFN	功率 DFN EP	Non-Compliant	未说明	有	MDV3604URH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.73								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±25	3	12.6	100	1	10@20V	30.5@10V	30.5		1433@15V	3400	34.6	12.9	50.6	15.2	-55	150	表面贴装	0.75(Max)	3.2(Max)	3.2(Max)	卷带		活跃											未说明	unknown	8					单四漏三源															P
MME80R290PRH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	290@10V				符合免除	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	800	±30	17	56@10V	56	1830@25V	181000	49	56.5	160	32	-55	150	17(A)	800(V)	Military	-55C to 150C	±30(V)	1	无	Non-Compliant	MME80R290PRH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	2.14					卷带		活跃		功率MOSFET										unknown					N	Single				181(W)													N
MDV1524URH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	33	8.1@10V	Non-Compliant	25.1 ns	,	未说明	有	MDV1524URH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.73						Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±20	2.7	15.4	100	1	[email protected]\|15.9@10V	15.9	1019@15V	3400	5.9	17.9	25.1	7.5	-55	150	表面贴装	0.75(Max)	3.2(Max)	3.2(Max)	8	DFN	功率 DFN EP	卷带		活跃				150 °C	-55 °C		25.2 W				未说明	unknown	8					单四漏三源		Single				7.5 ns				42 A	20 V		1.019 nF		N			11.7 mΩ			800 µm	3.2 mm	3.2 mm
IXFN44N100P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	1000	±30	150	37	220@10V	350@10V	350	19000@25V	90	60		-55	150	Screw	9.6(Max)	25.42(Max)	38.23(Max)	4	SOT	SOT-227B	Screw	890000	54	68								符合免除	EAR99			活跃													4					单双源																	N
MDD1051RH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	46@10V	DPAK	Gull-wing	未说明	有	MDD1051RH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.73							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	150	±20	3.2	28	100	1	19.6@10V	19.6	1270@40V	70000	5	10	20	15	-55	150	表面贴装	2.39(Max)	6.1	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	卷带		活跃											未说明	unknown	3					Single															N
IXTA64N10L2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	32@10V		Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	4.5	64	100	5	100@10V	100	3620@25V	357000	11	27	38	14	-55	150	表面贴装	4.5(Max)	9.4(Max)	10.41(Max)	2	Tab	TO-263	-	64A									活跃													3					Single				357W													N